热点!中科院与英特尔侵权诉讼的逆转:FinFET专利部分无效

发布时间:2020-11-11 20:03:07

来源:芜湖之窗

针对微电子公司2018年2月提出的专利侵权诉讼,英特尔曾六次提出无效的专利申请或专利复审请求,但未能取得预期的结果。在最近一次在中国提出的无效申请中,英特尔提交了cn102768957a专利(以下简称证据1)作为证据,宣布该专利主张8、10和14无效。

国家知识产权局专利复审和无效审查部门合议小组认为,FFET专利主张专利法第22条第2款所规定的新颖性与证据1无关,因此宣布FFET专利的8、10、14项主张无效。

深圳嘉德知识产权服务有限公司专利总监董林在此前的一次采访中说,FinFET的专利权涵盖范围很广:从方法论的角度来看,只要在大门外面形成侧壁,然后切断栅极线的FinFET设计,它就属于微电子研究所的FinFET专利保护范围。从结构上看,微电子领域的FinFET专利保护范围包括在栅极两侧具有相同直线延伸的侧壁的FinFET设计,以及侧壁不环绕栅电极的隔离端面。

根据FinFET专利的索赔,专利的核心索赔分别为索赔1和8,其中索赔1涉及方法,索赔8涉及结构,其余索赔分别来自索赔1和8。因此,索赔8、10和14的无效是对FinFET专利致命性的重大打击。

值得一提的是,导致FinFET专利部分失效的关键证据也是中国科学院微电子研究所2011年提出的一项专利,该专利比FinFET专利申请时间早了三个月。专利发明人栏中的证据1梁和钟也是FinFET专利的主要发明者。(校对/艾赫)